AlN烧结设备

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放电等离子烧结AlN陶瓷,研究了放电等离子烧结氮化铝陶瓷的过程。通过对比掺与不掺烧结助剂的氮化铝陶瓷的两种烧结过程，指出了烧结助剂在放电等离子烧结

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采用水基料浆与流态化喷雾造粒相结合制备SiCAlN复合粉体，分析复合粉体的粉体特性、成形性能及烧结特性，探讨SiCAlN复相陶瓷的增强增韧机制。结果表明

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以低温燃烧合成前驱物制备的比表面积为17.4m2／g的AIN粉末和市售BN粉末为原料,利用无压烧结工艺制备AlN15BN复合陶瓷,研究了复合陶瓷的烧结行为以及

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2、含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造,检测设备的陶瓷基材 3、高热导率氮化铝陶瓷，该陶瓷由AlN粉和混合助烧结剂制成，所述混合助烧结剂为碱土金属

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能够实现设备24小时连续运转，连续自动出灰，出灰机构是能将灰渣挤压成碎块、防止结渣，其顶部的锥头还起到搅拌物料的作用，还具有从炉膛底部供风功能。

氮化铝陶瓷,李小雷 著,冶金工业

2.4 压力和温度的标定3.2.5 高压设备的高精度控制系统3.2.6 腔体介质材料的选择3.2.7 加热源石墨3.3 高压烧结腔体设计3.4 高压烧结AlN陶瓷制备工艺流程3.4.1

13 96190015 氮化铝烧结体及其制造方法-锤式破碎机轴承

从而得到烧结体强度和破坏韧性值均有改善、不损害氮化铝特有的散热特性、机械强度和破坏韧性值均有提高的AlN烧结体。 专题：多功能扳手生产工艺,多

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2***年3月27日 – AlN，SiC）和复合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做衬底 具体而言，是用特定的工具或设备将芯片引脚对准预先涂覆了粘接剂和

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2***年1月24日 – 机械强度和破坏韧性值均有提高的AlN烧结体。 11、适用于铝合金铸件 用于氧化铝生产的烧结工艺 ***、用于氧化铝生产的烧结设备 148、一

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一种低温烧结AlN基复相材料及其制备方法，涉及电子封装材料及其制造领域。其特征在于复相材料由AlN 50－80，硼硅酸铅玻璃50－15，余量为LiF(wt％)组成，

氮化铝陶瓷,李小雷,冶金工业出版社,97875***5***3,2***81,-矿山反击破机械

2***年8月1日 – 2.5 高压设备的高精度控制系统 3.2.6 腔体介质材料的选择 3.2.7 加热源石墨 3.3 高压烧结腔体设计 3.4 高压烧结AlN陶瓷制备工艺流程 3.4.1 高压

外商投资产业指导目录（2011年修订）,全文

2011年12月24日 – 10. 氮化铝（AlN）陶瓷基片、多孔陶瓷生产 5 11. 无机非金属新材料及 节镍不锈钢制品的制造 （十七）通用设备制造业 1.高档数控机床及关键

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2008年8月28日 – 众多研究表明：高的纯度、小的粒度和窄的粒度分布是提高AlN烧结性能的关键。因此，如何制备出纯度高、粒度小、成本低、烧结性能好的AlN

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AlN烧结致密化造成的.综合考虑热导率和可加工性能的要求,的BN质量分数在10%～15%之间,所制备的复相陶瓷的热导率大于120W·m^1·K^1,硬度低于HRA

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用X射线衍射仪对AlN烧结后试样进行了相分析。用最小二乘法回归分析实验数据，依据现有的烧结理论后表明，添加Y2O3的AlN材料的中后期烧结机理为相界反应

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在半导体材料中，氮化铝（AlN）是具有优良综合性能的材料。即具有高的热导率 虽然早在一百多年前，氮化铝粉末便被合成制得，但由于它固有的难于烧结等缺点

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10 氮化铝（AlN）陶瓷基片、多孔陶瓷生产 11 无机非金属新材料及制品生产： （十七）通用设备制造业 1 高档数控机床及关键零部件制造：五轴联动数控机床

氮化铝AlN产品、HTCC高温共烧陶瓷-露天采石场作业规程

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在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上

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2012年3月9日 – 3、活化烧结添加剂纳末由于表面积和表面原子所占比例都很大， 在ALN粉体中混入5~10%ALN纳末，可改善此高导热陶瓷的烧结

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31 20031***4221 一种中介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 摘要 同时对设备无特殊要求，工艺步骤简单，采用一般的纳体和精细陶瓷制备工艺

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光刻投影设备，制造吸盘的方法和器件制造方法 u (103389000260***) 具有非烧结ALN的静电吸盘及其制备方法 5 (103389000090***) 静电吸盘 1 (

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2012年8月30日 – 精密度：薄膜黄光显影是往后比较靠谱的技术，台湾厂领先。 ALN烧结：烧板的技术不是太难 孔洞铜浆：空洞有无是关键 价格：0.20.5RMB(