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碳化硅微粉制造工艺,半导体硅片

关于碳化硅微粉制造工艺,半导体硅片的信息展示:

公司人员经过多年潜心对新产品研究、市场开发,先后与国内外生产微粉、制品厂家建立了紧密的合作关系。

公司主要销售产品碳化硅微粉(太阳能电池硅片、半导体晶圆片切割用碳化硅微粉)、碳化硅超细微粉(无压烧结制品用超细微粉)、高纯超细碳化硅微粉(电子行业用微粉)、碳化硅改性微粉、高密度碳化硅微粉(重结晶碳化硅制品专用微粉)、碳化硅研磨球。 各种不同成型工艺的碳化硅制品产品有反应烧结碳化硅(SiSiC)、常压烧结碳化硅(SSiC)、重结晶碳化硅(ReSiC)、氮化硅结合碳化硅(N-SiC),可根据客户要求开发、定做各种复杂高难度异型件。 公司以专业的队伍,优质的服务和合理公道的价格, 赢得了广大客户由衷的信赖和支持,欢迎国内外同行朋友前来洽谈业务、共谋发展。

目前我们没有委托任何代理公司和机构销售,其他网站转载与本报告内容一致的宣传均属未经许可擅自转载。 报告简介 碳化硅是自然界最硬的具有使用价值的材料之一。 近年来,随着世界半导体产业的发展,作为传统磨料的碳化硅,在单晶硅、多晶硅、压电晶体等电子工程中的多线切割、研磨上得到了广泛应用。

它给碳化硅微粉行业提供了一个新的市场,并由于近年来光伏产业的兴起及高速发展,使得碳化硅微粉在这个应用市场的需求量获得更快的增长。 本报告,是在围绕太阳能电池硅片、半导体晶圆片切割用碳化硅微粉的品种、生产制造过程、产品性能、生产厂家、具体应用领域情况、市场规模及发展趋势等方面作了全面的、行业现状调研的基础上产生的。

本报告所引入的相关数据,均进行了多方面的核实,具有准确性、权威性。 本报告是提供给筹建碳化硅微粉磨料生产厂家、或者原生产碳化硅磨料有意向往电子工程用碳化硅磨料方面进行产品结构转型的企业、了解此市场的经营者、关注此产业发展的机构等的一份必要参考资料。 由于碳化硅在半导体产业、光伏产业的市场方面近几年扩展、发展非常迅速,此新版的调研报告,在原报告基础上,重点针对去年下半年来受全球金融危机影响市场、行业变化的情况等作了大量内容的补充及统计数据的更新。 青州清泽工贸有限公司设备先进,技术精良,有一支高素质的员工队伍。 目前该公司产品已发展到近百个品种,销往全国十几个省市。 本公司以科技创新求发展,恪守诚信、质量至上、客户的经营宗旨,不仅赢得了国内市场客户的赞誉,也受到外商的青睐。 用户满意是我们的追求,总经理及全体员工热诚欢迎国内外客户光临指导,共创辉煌。 了解详情 硅片切割技术的工艺研究 硅片切割是电子工业主要原材料一硅片(晶圆)生产的上游关键技术,切割的质量与规模直接影响到整个产业链的后续生产。

碳化 硅微粉

在电子工业中,对硅片的需求主要表现在太阳能光伏发电和集成电路等半导体产业上。 随着人们环保意识的不断增强,充分利用太阳的绿色能源被高度重视,发展势头及其迅猛。 晶体硅片是制作光伏太阳能电池的主要材料,每生产1MW的太阳能电池组件需要17吨左右的原料。 Clean Edge 预计,全球太阳能发电市场的规模将从2005年的110亿美元猛进增到2015年的510亿美元。 显然太阳能产业的迅猛发展需要更多的硅原料及切割设备来支撑。

除太阳能电池外,硅片的巨大需求同样表现在集成电路等半导体产业上。 硅占整个半导体材料的95%以上,单晶硅片是半导体器件生产的关键性基材,是当之无愧的电子产业的基础支撑材料。 2010年,电子级多晶硅年需求量达到约2000吨,光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。

碳化 硅微粉

硅原料的供不应求,切割加工能力的落后和严重不足构成了产业链的瓶颈,严重阻碍了我国太阳能和半导体产业的发展。 因此,未来的3至5年间,将是中国晶硅产业快速发展的黄金时期。 1.硅片切割的常用方法: 硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装等阶段。 近年来光伏发电和半导体行业的迅速发展对硅片的加工提出了更高的要求。

一方面为了降低制造成本,硅片趋向大直径化。 另一方面要求硅片有极高的平面度精度和极小的表面粗糙度。

所有这些要求极大的提高了硅片的加工难度,由于硅材料具有脆、硬等特点,直径增大造成加工中的翘曲变形,加工精度不易保证。 厚度增大、芯片厚度减薄造成了材料磨削量大、效率下降等。

硅片切片作为硅片加工工艺流程的关键工序,其加工效率和加工质量直接关系到整个硅片生产的全局。 对于切片工艺技术的原则要求是:①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。 1、硅片清洗剂概述 硅片清洗剂广泛应用于光伏,电子等行业硅片清洗;由于硅片在运输过程中会有所污染,表面洁净度不是很高,对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响,所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。

半导体硅片

清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污,然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷进”,会引起外延缺陷;再去除颗粒、金属等,同时使硅片的表面钝化。 目前多采用传统的RCA清洗方法,不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等,还可以去除小颗粒等污染物。 2、清洗工艺2.1RCA清洗法RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺,是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后,由此得名。

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